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 化学气相沉积法制备石墨烯过程中温度及压力分布研究()

《工业加热》[ISSN:1002-1639/CN:61-1208/TM]

期数:
2018年03
页码:
46-48
栏目:
数值模拟与仿真
出版日期:
2018-06-30

文章信息/Info

Title:
 Study on Temperature and Pressure Distribution of Graphene by Chemical Vapor Deposition Method
文章编号:
1002-1639(2018)03-0046-03
作者:
 马 骁
 商洛学院 城乡规划与建筑工程学院, 陕西 商洛 726000
Author(s):
 MA Xiao
 Shangluo University School of Urban and Rural Planning and Building Engineering,Shangluo 726000, China
关键词:
 化学气相沉积 温度场 压力场 CVD反应器
分类号:
TQ173
DOI:
10.3969/j. issn. 1002-1639.2018.03.013
文献标识码:
A
摘要:
 采用计算流体力学软件(CFD)对化学气相沉积法制备石墨烯过程中CVD反应器内温度场及压力场进行模拟,分别研究了两种初始压力下反应器内温度及压力变化情况。研究结果表明在初始的常压条件下反应器内温度分布及压力分布均匀性较差,导致气体流动性也较为紊乱,而在低压条件下反应器内温度及压力分布较为均匀,甲烷气体平稳流经过反应加热区,从而有助于石墨烯整个合成过程的稳定进行。

参考文献/References

备注/Memo

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