MOCVD 系统反应室流场的模拟优化设计()
《工业加热》[ISSN:1002-1639/CN:61-1208/TM]
- 期数:
- 2018年05
- 页码:
- 46-48
- 栏目:
- 数值模拟与仿真
- 出版日期:
- 2018-11-30
文章信息/Info
- Title:
- Numerical Simulation Chemical Vapor Deposition Process of Temperature and Pressure Field
- 文章编号:
- 1002.1639(2018)05.0046.03
- 作者:
- 张 媛
- 陕西铁路工程职业技术学院, 陕西 渭南 714000
- Author(s):
- ZHANG Yuan
- Shaanxi Railway Institute, Weinan 714000, Shaanxi
- 关键词:
- MOCVD; 流场; 数值模拟; 优化设计
- 分类号:
- TB43
- DOI:
- 10.3969/j. issn. 1002-1639.2018.05.012
- 文献标识码:
- A
- 摘要:
- 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料、建筑材料、LED等光电子器件装饰材料主要设备。本文采用计算流体力学软件Fluent对MOCVD反应器内温度场及速度场进行模拟分析。对MOCVD反应器内的传热传质机理进行分析,从而为MOCVD反应器内设计提供理论依据。
更新日期/Last Update: