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 MOCVD 系统反应室流场的模拟优化设计()

《工业加热》[ISSN:1002-1639/CN:61-1208/TM]

期数:
2018年05
页码:
46-48
栏目:
模拟仿真
出版日期:
2018-10-30

文章信息/Info

Title:
 Numerical Simulation Chemical Vapor Deposition Process of Temperature and Pressure Field
文章编号:
1002.1639(2018)05.0046.03
作者:
 张 媛
 陕西铁路工程职业技术学院, 陕西 渭南 714000
Author(s):
 ZHANG Yuan
 Shaanxi Railway Institute, Weinan 714000, Shaanxi
关键词:
 MOCVD 流场 数值模拟 优化设计
分类号:
TB43
DOI:
10.3969/j. issn. 1002-1639.2018.05.012
文献标识码:
A
摘要:
 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统是制备GaN等半导体薄膜材料、建筑材料、LED等光电子器件装饰材料主要设备。本文采用计算流体力学软件Fluent对MOCVD反应器内温度场及速度场进行模拟分析。对MOCVD反应器内的传热传质机理进行分析,从而为MOCVD反应器内设计提供理论依据。

参考文献/References

备注/Memo

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更新日期/Last Update: