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 化学气相沉积法制备碳化硅过程的三维数值模拟()

《工业加热》[ISSN:1002-1639/CN:61-1208/TM]

期数:
2018年06
页码:
34-37
栏目:
模拟仿真
出版日期:
2018-12-30

文章信息/Info

Title:
 3D Numerical Simulation of Chemical Vapor Deposition Process of Silicon Carbide
文章编号:
1002-1639(2018)06-0034-04
作者:
 周荣亚1徐艳华1张荣蓓2
 1.陕西铁路工程职业技术学院, 陕西 渭南 714000;2.蒙牛乳业(焦作)有限公司,河南 焦作 454150
Author(s):
 ZHOU Rongya1XU Yanhua1ZHANG Rongbei2
 1.Shaanxi Railway Institute, Weinan 714000, China;2.Mengniu Dairy Company Limited(JiaoZuo),Jiaozuo 454150,China
关键词:
 化学气相沉积 碳化硅 数值模拟
分类号:
TQ163
DOI:
10.3969/j. issn. 1002-1639.2018.06.010
文献标识码:
A
摘要:
 采用计算流体力学软件CFD对S40反应器SiH4和C2H2不同进口流量条件下,化学气相沉积法制备碳化硅过程中反应器内温度场、速度场及碳化硅沉积浓度变化规律进行模拟分析,研究结果表明:随着进口处气体流量缓慢增加基板上的碳化硅质量分数也在逐渐增加,但当气体流量超过一定范围时会使得SiH4和C2H2气体来不及沉积于基板之上,同时如果进口气体流量过大将会使得反应区温度场分布紊乱,流入气体带走大量热量,使得反应器内难以达到合成反应所需的温度条件。通过模拟与实验,一般进气口SiH4和C2H2流量分别取9.6、3.2 mL/min。

参考文献/References

备注/Memo

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